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CSD25201W15是MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA，包括CSD25201W1 5系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于DSBGA-9以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为-6 V，Id连续漏极电流为4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为4.3nC，正向跨导Min为12S。
CSD2475是继电器SSR 75A 120/240V DC，包括24~280V电压负载，它们设计用于3.5~15VDC电压输入，数据表注释中显示了用于螺旋端子的端子类型，该端子提供CS等系列功能，继电器类型设计用于继电器以及散装包装，该设备也可以用作曲棍球包装箱。此外，输出类型为AC，零交叉，设备提供底盘安装或面板安装安装类型，设备具有75A的负载电流，电路为SPST-NO（1表a）。
CSD2490是继电器SSR 90A 240VAC DC IN PNL，包括SPST-NO（1表A）电路，设计用于90A负载电流，安装类型如数据表注释所示，用于底盘安装或面板安装，提供输出类型功能，如交流、零交叉，包装箱设计用于曲棍球，以及散装包装，该设备也可以用作中继中继类型。此外，该系列为CS系列，该设备采用螺旋端子终端式，该设备具有3.5~15VDC的电压输入，电压负载为24~280V。
CSD25202W15是MOSFET 20V P沟道NexFET Pwr MOSFET，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供NexFET等商标特性，系列设计用于CSD25202W1 5，以及1 P沟道晶体管类型，该设备也可以用作1信道数信道。
