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R6024KNX

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FM 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.83154 18.83154
10+ 16.89044 168.90443
100+ 13.57609 1357.60920
500+ 11.15406 5577.03300
1000+ 9.24194 9241.94000
2000+ 8.69148 17382.96000
  • 库存: 133
  • 单价: ¥18.83154
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.83
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 最大功耗 74W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 24A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2000 pF@25 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
  • 供应商设备包装 TO-220FM
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@11.3A,10V
  • 色彩/颜色 -

R6024KNX 产品详情

ROHM硅功率MOSFET具有超快的开关速度和低导通电阻。MOSFET有多种封装,包括微型0604封装,以节省设计空间。MOSFET具有一系列驱动类型(0.9-10V),可用于各种应用。

特色

  • 导通电阻低。
  • 超快的切换速度。
  • 并行使用很容易。
  • 无铅铅镀层;符合RoHS。


R6024KNX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),R6024KNX 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R6024KNX价格参考¥18.831540,你可以下载 R6024KNX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R6024KNX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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