9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF840ASPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF840ASPBF参考价格为2.67000美元。Vishay Siliconix IRF840ASPBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK。您可以下载IRF840ASPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF840APBF是MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TO-220AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为500V，输入电容Cis-Vds为1018pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为850 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为23 ns，并且Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为850mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRF840ALPBF是MOSFET N-CH 500V 8A TO-262，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为23 ns，器件的漏极电阻为850 mOhms，Pd功耗为3.1 W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF840AS是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK。IRF840A可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH500V 8A D2PAG、N沟道500V 8A（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc）表面安装D2PAK、Trans-MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin（2+Tab）D2PAK等。
