9icnet为您提供由英飞凌技术公司设计和生产的IPP070N08N3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP070N08N3G参考价格0.69000美元。Infineon Technologies IPP070N08N3G封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPP070N08N3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP070N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP070NO8N3GXKSA1 SP000680828中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为66 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
IPP070N06LG是由INF制造的MOSFET N-CH 60V 80A TO-220。IPP070NO6LG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 80A-TO-220。
IPP070N06NG是由INF制造的MOSFET N-CH 60V 80A TO-220。IPP070NO6NG以TO-220-3封装形式提供，是FET-单体的一部分，支持MOSFET N-CH60V 80A-TO-220。
