特色
- 先进的工艺技术
- 非常小的占地面积和低姿态
- 高功率密度
- 低寄生参数
- 双面冷却
- 175°C工作温度
- 允许重复雪崩达到Tjmax
- 无铅、符合RoHS和无卤素
- 汽车认证
AUIRF7675M2TR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta), 18A (Tc) 最大功耗: 2.7W（Ta）、45W（Tc） 供应商设备包装: DirectFET等距M2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 17.45538 | 17.45538 |
| 10+ | 15.70260 | 157.02607 |
| 100+ | 12.62002 | 1262.00290 |
| 500+ | 10.36864 | 5184.32300 |
| 1000+ | 9.87497 | 9874.97000 |
| 4800+ | 9.87497 | 47399.85600 |
- 库存: 16475
- 单价: ¥17.45539
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.46
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1360 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 DirectFET等距M2
- 包装/外壳 DirectFET等距M2
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Ta), 18A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 56毫欧姆 @ 11A, 10V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、45W（Tc）
- 色彩/颜色 不锈钢
AUIRF7675M2TR 产品详情
AUIRF7675M2TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AUI15-4671 | 联合元件国际公司 (Allied) | UI15 SMD CCFL TRANSFORMER | ¥63.37538 |
 | AUI15-4677 | 联合元件国际公司 (Allied) | 240uH, UI15 Core SMD Transformer | ¥47.07885 |
 | AUIR3242SDEMOBOARDTOBO1 | 英飞凌 (Infineon) | 采用的IC/零件: auir3242 种类: 电源管理 功能: 配电开关（负荷开关） | ¥3,637.60167 |
 | AUIRF4905S | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.80554 |
 | AUIRFR024N | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | AUIRFS4310Z | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13766 |
| AUIRFU8403-701TRL | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.26947 |
| AUIRFB8405-071 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 163W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.2878 |
| AUIRG4BC30S-S | AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC | ¥11.0728 | |
 | AUIRGP35B60PD-E | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.20049 |
AUIRF7675M2TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AUIRF7675M2TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AUIRF7675M2TR价格参考￥17.455389，你可以下载 AUIRF7675M2TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AUIRF7675M2TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
