9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z30PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z30PBF-BE3价格参考2.74000美元。Vishay Siliconix IRF9Z30PBF-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB。您可以下载IRF9Z30PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9Z24PBF是MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2 V至-4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为280 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15 ns，典型接通延迟时间为13 ns，Qg栅极电荷为19 nC，正向跨导最小值为1.4 S，并且信道模式是增强。
IRF9Z30是MOSFET P-Chan 50V 18 Amp，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-50 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极电阻为140 mOhms，Pd功耗为74 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为18 A，下降时间为64 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9Z24SPBF是MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于29 ns，提供Id连续漏极电流功能，如11 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有封装管，Pd功耗为3.7W，Rds漏极-源极电阻为280mOhms，上升时间为68ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为15ns，典型开启延迟时间为13ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRF9Z24S是由IR制造的MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK。IRF9Z24S有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH60V 11A/D2PAK、P沟道60V 11A（Tc）3.7W（Ta）、60W（Tc。
