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TSM7ND65CI

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: ITO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.22649 11.22649
10+ 10.06038 100.60388
100+ 7.84116 784.11640
500+ 6.47747 3238.73500
1000+ 5.11377 5113.77700
2000+ 4.77285 9545.70800
5000+ 4.64885 23244.27500
  • 库存: 3916
  • 单价: ¥11.22650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.23
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 最大功耗 50W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
  • 包装/外壳 TO-220-3全包装,独立接线片
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 250A
  • 供应商设备包装 ITO-220
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.35欧姆@1.8A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1124 pF@50 V
  • 色彩/颜色 -

TSM7ND65CI 产品详情

TSM7ND65CI所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TSM7ND65CI 由 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TSM7ND65CI价格参考¥11.226495,你可以下载 TSM7ND65CI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TSM7ND65CI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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