9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC0402NSATA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC0402NSATA1参考价格为3.47000美元。Infineon Technologies BSC0402NSATMA1封装/规格：150V，N-CH MOSFET，逻辑电平，。您可以下载BSC0402NSATA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC039N06NS是MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSC039N06NSATMA1 BSC039NO6NSXT SP000985386的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PG-TDSON-8，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为69W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为2000pF@30V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为19A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.9mOhm@50A，10V，Vgs的最大Id为2.8V@36μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，Pd功耗为69W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为12s，Qg栅极电荷为27nC，并且正向跨导Min为85S/42S。
BSC039N06NSATMA1是MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8，包括2.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供典型的开启延迟时间特性，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有BSC039N06系列，上升时间为12ns，Rds漏极-源极电阻为3.9mOhms，Qg栅极电荷为27nC，Pd功耗为69W，部件别名为BSC039NO6NS BSC039NO 6NSXT SP000985386，包装为卷筒，包装盒为TDSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为100 A，正向跨导最小值为85 S，下降时间为7 ns，配置为单四漏极。
BSC037N08NS5ATMA1带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在单配置下工作，下降时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供最小正向跨导特性，如47 S，Id连续漏电流设计为在100 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1信道数信道，该器件具有TDSON-8封装盒，封装为卷筒，零件别名为BSC037N08NS5 SP001294988，Pd功耗为114 W，Qg栅极电荷为46 nC，漏极-源极电阻Rds为5.3 mOhms，上升时间为10ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为14ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2.2V。
BSC03N06L35，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSC03N06L35采用TSON-8封装，是IC芯片的一部分。
