9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFZ44RPBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFZ44RPBF-BE3价格参考2.92000美元。Vishay Siliconix IRFZ44RPBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB。您可以下载IRFZ44RPBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFZ44RPBF-BE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFZ44NSTRRPBF是MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为49 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为17.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为42nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
IRFZ44PBF是MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRF/SIHFZ44系列，该器件的上升时间为110纳秒，漏极电阻Rds为28毫欧，Pd功耗为150瓦，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为50 A，下降时间为92 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFZ44R是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB。IRFZ44R可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 50A-TO-220AA、N沟道60V 50B（Tc）150W（Tc。
