特色
- 类型。RDS（开启）=710 mΩ（典型）
- 超低栅极电荷（典型Qg=22 nC）
- 低Eoss（400V时典型值为2.3 uJ）
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=106 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
- ESD改进功能
FCU850N80Z
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 18.10725 | 18.10725 |
| 10+ | 16.29652 | 162.96525 |
| 100+ | 13.09950 | 1309.95090 |
| 500+ | 10.76222 | 5381.11250 |
| 1000+ | 9.78385 | 9783.85400 |
- 库存: 1783
- 单价: ¥18.10725
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.11
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大功耗 75W (Tc)
- 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 供应商设备包装 I-PAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 600A
- 导通电阻 Rds(ON) 850毫欧姆 @ 3A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1315 pF @ 100 V
- 色彩/颜色 -
FCU850N80Z 产品详情
SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外，内部栅源ESD二极管可以承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。
FCU850N80Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | FCU-RACK-DC-PWR | 艾康泰克 (ICOMTECH) | DC POWER MODULE FOR FCU-RACK-16 | ¥3,032.4255 |
 | FCU-3002A-WA-S4 | 10/100/1000TX To 1000LX Single | ¥0.00 | |
| FCU-3002A-WB-S6 | 10/100/1000TX To 1000LX Single | ¥0.00 | |
| FCU-6001-SFP+ | 10G/5G/2.5G/1G COPPER TO 10GBASE | ¥0.00 | |
| FCU-3002A-WB-S2 | 10/100/1000TX To 1000LX Single | ¥0.00 | |
| FCU-3002A-WB-S4 | 10/100/1000TX To 1000LX Single | ¥0.00 | |
| FCU-3002A-WA-S6 | 10/100/1000TX TO 1000LX SINGLE F | ¥0.00 | |
| FCU-5002-SFP+ | 10GBASE-R SFP+ TO 10GBASE-R SFP+ | ¥0.00 |
FCU850N80Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCU850N80Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCU850N80Z价格参考￥18.107250，你可以下载 FCU850N80Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCU850N80Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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