9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI041N12N3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI041N12N3G参考价格为2.65000美元。Infineon Technologies IPI041N12N3G软件包/规格：IPI041N2-12V-300V N-CHANNEL P。您可以下载IPI041N1 2N3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI041N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI041N1 2N3GAKSA1 IPI041N 2N3GXK SP000652748，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为52 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Rds漏极源极导通电阻为3.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70nS，Qg栅极电荷为158nC。
IPI037N08N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3，包括80V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPI037N08系列。此外，Rds漏极源极电阻为3.5 mOhms，该器件采用G IPI037N08N3 IPI037 N08N3GXK SP000680654零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为100 a。
IPI040N06N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3，包括90 A Id连续漏极电流，它们设计为以1个通道数运行。数据表注释中显示了用于to-262-3的封装情况，该封装提供了管等封装功能，零件别名设计用于G IPI040NO6N3 IPI040N6N3GXK SP000680656，该器件还可以用作IPI040N06系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
IPI040N06N3G是INFINEOn制造的MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3。IPI040N06N3G在TO-262封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3。
