9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW30NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW30NM60N价格参考9.50000美元。STMicroelectronics STW30NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3。您可以下载STW30NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW30N65M5是MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A，包括MDmesh M5系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有140 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为10 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为3 V，Id连续漏电流为22 a，Vds漏源击穿电压为650 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-源极电阻为139mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为50 ns，Qg栅极电荷为64nC。
STW30NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 27A TO-247。STW30M50N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 27A TO-247、N沟道500V 27A（Tc）190W（Tc。
STW30NM60，带有ST制造的电路图。STW30MM60采用TO-3P封装，是FET的一部分-单个。
