9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCP400N80Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCP400N80Z参考价格为3.01000美元。onsemi FCP400N80Z封装/规格：MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3。您可以下载FCP400N80Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FCP36N60N是MOSFET 600V N沟道MOSFET SupreMOS，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.085398盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供312 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为36 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为94ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为86nC，正向跨导最小值为41S。
FCP380N60E是MOSFET 600V N沟道MOSFET，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.063493盎司的单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及380 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作106W Pd功率耗散。此外，包装为管式，设备采用TO-220-3包装盒，设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为10.2 a。
FCP380N60是由Fairchild制造的“MOSFET SuperFET2”。FCP380N80采用TO-220封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET超级FET2、N沟道600V 10.2A（Tc）106W（Tc）通孔TO-220-3、Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3引脚（3+Tab）TO-220AB管、MOSFET Super 2、380mohm”。
