9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW9N80K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW9N80K5参考价格为3.06000美元。STMicroelectronics STW9N80K5封装/规格：MOSFET N沟道800V 7A TO247。您可以下载STW9N80K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW9N150是MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247，包括PowerMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为320W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1500V（1.5kV），输入电容Ciss Vds为3255pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2.5欧姆@4A，10V，Vgs最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为89.3nC@10V，Pd功耗为320 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，下降时间为52纳秒，上升时间为14.7纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为1500 V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86纳秒，并且典型的开启延迟时间是41ns，并且信道模式是增强。
STW8T36B-Q0/Q5-BB是首尔制造的标准LED-SMD。STW8T36B-Q0/Q5-BB有5 mm x 5 mm x 1.4 mm封装，是LED指示-分立的一部分，支持标准LED-SMD。
STW90NF20是由ST制造的MOSFET N-CH 200V 83A TO-247。STW90NF 20可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH200V 83A-TO-247、N沟道200V-83A（Tc）300W（Tc。
STW9N60采用ST制造的EDA/CAD模型。STW9N80采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
