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IRF7606TR

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.72189 5.72189
10+ 4.68615 46.86156
100+ 4.10527 410.52760
500+ 3.85583 1927.91500
1000+ 3.80042 3800.42200
  • 库存: 2176
  • 单价: ¥5.72189
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.72
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大功耗 1.8W(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 520 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.6A (Ta)
  • 供应商设备包装 Micro8
  • 包装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00毫米 Width)
  • 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 2.4A, 10V

IRF7606TR 产品详情

国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极其高效和可靠的器件。
新的Micro8封装具有标准SO-8的一半占地面积,提供了SOIC外形中可用的最小占地面积。这使得Micro8成为印刷电路板空间非常大的应用的理想设备。Micro8的薄型(<1.1mm)将使其能够轻松地适应极薄的应用环境,如便携式电子设备和PCMCIA卡。

● 第五代技术
● 超低导通电阻
● P沟道MOSFET
● 非常小的SOIC封装
● 薄型(<1.1mm)
● 提供磁带和卷轴
● 快速切换

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 行业领先的质量
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 175°C工作温度
  • P沟道MOSFET
IRF7606TR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF7606TR 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF7606TR价格参考¥5.721891,你可以下载 IRF7606TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF7606TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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