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IPD38N06N3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD38N06 N3GATMA1 IPD08N06N3GXT SP000397994，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为188 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强。
IPD38N04NG，带有infineon制造的用户指南。IPD38N04NG在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPD38N06N3（038N06N），带有INFINEON制造的电路图。IPD38N06N3（038N06N）采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
