9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCPF16N60，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FCPF16N60参考价格为3.17000美元。onsemi FCPF16N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 16A TO220F。您可以下载FCPF16N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FCPF13N60NT是MOSFET N-CH 600V 13A TO220F，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供33.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.8 ns，上升时间为10.6 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为258mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为30.4nC，正向跨导最小值为16.3S。
FCPF1300N80ZYD，带有用户指南，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供单位重量功能，如0.090478 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，以及33 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为8.3ns，漏极-源极电阻Rds为1.3欧姆，Qg栅极电荷为16.2nC，Pd功耗为24W，封装为管，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4 A，下降时间为6 ns，配置为单一。
FCPF150N65F，带有FAIRCHILD制造的电路图。FCPF150N65F采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 650V 24A TO220F、N沟道650V 14.9A（Tc）39W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH650V 24A3-Pin（3+Tab）TO-220FP管。
