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FDP8441

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.45299 22.45299
10+ 20.18596 201.85962
100+ 16.53988 1653.98860
500+ 14.07990 7039.95400
1000+ 13.49388 13493.88500
  • 库存: 2336
  • 单价: ¥22.45299
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.45
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 23A(Ta)、80A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@80A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 280 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15000 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

FDP8441 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET 40 V,80 A,2.7 mΩ

特色

  • RDS(开启)=2.1mΩ (典型)@VGS=10V,ID=80A
  • QG(tot)=215nC(典型值)@VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101RoHS

应用

  • 其他音频和视频
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • 工作站
  • 服务器和大型机
  • 台式电脑
  • AC-DC商用电源-台式电脑
  • 智能电网
  • 电动自行车
  • 其他工业
FDP8441所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDP8441 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDP8441价格参考¥22.452990,你可以下载 FDP8441中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDP8441规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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