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FDP032N08是MOSFET 75V N沟道PowerTrench，包括管封装，其设计为单位重量为0.085398盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供375 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为121 ns，上升时间为191 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为235 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为335ns，典型接通延迟时间为230ns，沟道模式为增强。
FDP032N08_F102和用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于管包装。
FDP032N08B是FSC制造的MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3。FDP032N08B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3。
