这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它们适用于要求最高的高效转换器。
特色
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 31.36175 | 31.36175 |
10+ | 28.15315 | 281.53152 |
100+ | 23.06646 | 2306.64640 |
500+ | 19.63593 | 9817.96800 |
1000+ | 18.81864 | 18818.64800 |
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这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它们适用于要求最高的高效转换器。
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