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STP9NK70ZFP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 25.49500 25.49500
10+ 22.89480 228.94807
100+ 18.76128 1876.12840
500+ 15.97117 7985.58700
1000+ 15.30642 15306.42100
  • 库存: 938
  • 单价: ¥23.17728
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.50
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 35W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 100A
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 漏源电压标 (Vdss) 700 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.5A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1370 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@4A,10V

STP9NK70ZFP 产品详情

SuperMESHtm系列是通过对STs基于条带的PowerMESHtm布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外,还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET,包括革命性的MDmeshtm产品。

特色

  • 非常好的制造重复性
  • 非常低的内部容量
  • TYPICALRDS(开)=1.0
  • 改进的性能
  • 极高的dv/dt能力
  • 门电荷最小化
  • 100%雪崩
STP9NK70ZFP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP9NK70ZFP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP9NK70ZFP价格参考¥23.177280,你可以下载 STP9NK70ZFP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP9NK70ZFP规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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