这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻,这是硅基功率MOSFET中无法比拟的,因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。
特色
- 全球最佳RDS(on)*区域
- 更高的VDSSrating
- 卓越的切换性能
- 易于驾驶
- 100%雪崩测试
- 高dv/dt能力
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 52.29373 | 52.29373 |
10+ | 46.99193 | 469.91935 |
100+ | 38.49963 | 3849.96350 |
500+ | 32.77426 | 16387.13350 |
1000+ | 31.41014 | 31410.14000 |
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这些器件是基于创新的专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET,该技术与STMicroelectronics著名的PowerMESH水平布局结构相结合。所得到的产品具有极低的导通电阻,这是硅基功率MOSFET中无法比拟的,因此特别适用于需要卓越功率密度和卓越效率的应用。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...