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IPD60R210CFD7ATMA1

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  • 总计: ¥11.87
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 色彩/颜色 黑色

IPD60R210CFD7ATMA1 产品详情

正向电阻™ C6将英飞凌作为领先的超级结MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。C6器件提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、更轻和更冷。

  • 600V CoolMOS™ C6替代600V CoolMOS™ 第3页
  • 650V CoolMOS™ C6是650V CoolMOS的替代品™ 第3页

特色

  • 易于控制切换行为
  • 由于非常低的品质因数(R DS(on)*Q g和E oss),损失非常低
  • 极高的换向强度
  • 易于使用
  • 与C3相比,轻载效率更好
  • 经过验证的CoolMOS具有卓越的可靠性™ 质量与高体二极管耐用性相结合
  • 与以前的CoolMOS相比,具有更好的性价比™ 世代
  • 更高效、更紧凑、更轻、更凉爽
  • 提高了功率密度
  • 提高可靠性
  • 通用部件可用于软交换拓扑和硬交换拓扑
  • 更好的轻载效率
  • 提高硬交换应用的效率
  • 改进了易用性
  • 减少pcb布局和封装寄生效应导致的可能振铃

应用

  • 消费者
  • 适配器
  • 电子移动性
  • 服务器和电信PFC阶段
  • 表面粗糙度
  • PC电源
  • 太阳的
  • 照明
IPD60R210CFD7ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD60R210CFD7ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD60R210CFD7ATMA1价格参考¥11.873286,你可以下载 IPD60R210CFD7ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD60R210CFD7ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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