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IPD60R180C7ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.26587 18.26587
  • 库存: 88
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大功耗 68W (Tc)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@5.3A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 260A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1080 pF@400 V
  • 色彩/颜色 -

IPD60R180C7ATMA1 产品详情

600V CoolMOS™ P7超结(SJ)MOSFET是600V CoolMOS的后继产品™ P6系列。它继续在设计过程中平衡高效性与易用性的需求。R类最佳在…上xA和固有的低栅极电荷(QG)CoolMOS的™ 第七代平台确保其高效率。

特色

  • 600V P7可实现卓越的FOM R DS(on)xE oss和R DS(on)xQ G
  • ESD强度≥2kV(HBM 2级)
  • 集成栅极电阻器R G
  • 坚固的体二极管
  • 广泛的通孔和表面安装组件组合
  • 可提供标准级和工业级零件
  • 卓越的FOMs R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss可实现更高的效率
  • 通过停止发生ESD故障,在制造环境中易于使用
  • 集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
  • MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑,如PFC和LLC
  • LLC拓扑结构中所见的体二极管在硬换向期间具有优异的耐用性
  • 适用于各种终端应用和输出功率
  • 适用于消费和工业应用的零件

应用

  • 电视电源
  • 工业SMPS
  • 服务器
  • 电信
  • 照明
IPD60R180C7ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD60R180C7ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD60R180C7ATMA1价格参考¥18.265870,你可以下载 IPD60R180C7ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD60R180C7ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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