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IPA50R199CP是MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3,包括CoolMOS CP系列,它们设计用于管式封装,零件别名显示在IPA50R1998CPXK IPA50R1992CPXKSA1 SP000236081中使用的数据表注释中,该IPA50R1995CPXKSA2提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为139 W,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为10 ns,上升时间为14 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为17A,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Rds导通漏极-漏极电阻为500V,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为80ns,典型接通延迟时间为35ns,Qg栅极电荷为34nC,沟道模式为增强。
IPA50R250CP是MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如35 ns,典型的关闭延迟时间设计为80 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,商品名为CoolMOS,该器件采用Si技术,该器件具有串联的CoolMOS CP,上升时间为14ns,漏极-源极电阻Rds为500V,Qg栅极电荷为27nC,Pd功耗为33W,零件别名为IPA50R250CPXK IPA50R250 CPXKSA1 SP000236080,包装为管,包装盒为TO-220-3,通道数量为1通道,安装类型为通孔,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为13 A,下降时间为11 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
带有电路图的IPA50R190CEXKSA2,包括TO-220-3封装盒,它们设计用于管式封装,数据表注释中显示了零件别名,用于IPA50R190 CE SP001364312,该产品提供Si等技术特性。
IPA50R250CP(5R250P),带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPA50R250CP(5R250P)采用TO-220F封装,是IC芯片的一部分。