9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF7N52K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF7N52K3参考价格为1.73000美元。STMicroelectronics STF7N52K3封装/规格：MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP。您可以下载STF7N52K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF7N105K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220FP-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件提供25W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为1050 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17.5ns，Qg栅极电荷为17nC，沟道模式为增强。
STF7N52DK3是MOSFET N-Ch 525V 0.95 Ohm 6A SuperFREDmesh3，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于525 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为12 ns，漏极-源极电阻Rds为1.15欧姆，Qg栅极电荷为33 nC，Pd功耗为25 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF7LN80K5（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N沟道800V、N沟道800 V 5A（Tc）25W（Tc）通孔TO-220FP、Trans MOSFET N-CH 800V 5A 3引脚（3+Tab）TO-220FP-管、MOSFET N信道800 V、典型0.95欧姆、TO-220FP封装中的5 A MDmesh K5功率MOSFET。
