9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW75N60DM6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW75N60DM6参考价格为13.06000美元。STMicroelectronics STW75N60DM6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 72A TO247。您可以下载STW75N60DM6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW70N60M2是MOSFET N-CH 600V 68A TO247，包括MDmesh？II Plus系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为450W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为5200pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为68A（Tc），最大Id Vgs的Rds为40mOhm@34A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为118nC@10V，Pd功耗为450 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为17ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为68A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为155ns，典型导通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为118nC。
STW70N60DM2带用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为32 ns，以及112 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为67 ns，器件的漏极-源极电阻为42 mOhms，Qg栅极电荷为121 nC，Pd功耗为446 W，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为66 A，下降时间为10.4 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
带有电路图的STW72N60DM2AG，包括增强通道模式，其设计为以10.4 ns的下降时间运行，数据表注释中显示了用于66 a的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-247-3，该器件提供446W Pd功耗，该器件具有121nC的Qg栅极电荷，Rds导通漏极-源极电阻为42mOhm，上升时间为67ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为112ns，典型开启延迟时间为32ns，单位重量为1.340411oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V。
STW70N60M2-4，带EDA/CAD模型，包括Si技术。
