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APT36N90BC3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，以及390 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为25 ns，器件的上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为36 a，Vds漏极-源极击穿电压为900 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极-源极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，Qg栅极电荷为252nC，沟道模式为增强。
APT36GA60BD15是IGBT 600V 65A 290W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.5V@15V、20A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、20A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如16ns/122ns，开关能量设计为在307μJ（开）、254μJ（关）下工作，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为290W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为18nC，集流器脉冲Icm为109A，集流器Ic最大值为65A。
APT37F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
