9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT8M100B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT8M100B参考价格$42.7000。Microchip Technology APT8M100B封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 8A TO247。您可以下载APT8M100B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT85GR120L是IGBT 1200V 170A 962W TO264，包括管封装，它们设计为与to-264-3、to-264AA封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-264中工作，以及962W最大功率，该器件还可以用作170A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器发射极击穿最大值为1200V，该器件采用NPT IGBT类型，该器件具有340A电流收集器脉冲Icm，最大Vce Vge Ic为3.2V@15V，85A，开关能量为6mJ（开），3.8mJ（关），栅极电荷为660nC，25°C的Td为43ns/300ns，测试条件为600V、85A、4.3欧姆、15V。
APT85GR120JD60是IGBT模块1200V 116A ISOTOP，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在3.2V@15V、85A Vce on Max Vge Ic的情况下工作。数据表中显示了用于SOT-227的供应商设备包，该SOT-227提供功率最大值功能，如543W，该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供8.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有输入标准，IGBT类型为NPT，集电器Ic最大值为116A，集电器截止值最大值为1.1mA，配置为单一。
APT85GR120J带有电路图，包括单配置，它们设计为在1mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于116A，提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计为标准工作，以及8.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件具有大容量封装，最大功率为543W，供应商器件封装为SOT-227，最大Vge Ic上的Vce为3.2V@15V，85A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
