IST006N04NM6AUMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Ta), 475A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 250W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-5-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 20.35182 | 20.35182 |
- 库存: 3
- 单价: ¥20.35183
-
数量:
- +
- 总计: ¥20.35
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 最大功耗 3.8W (Ta), 250W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.3V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 178 nC@10 V
- 包装/外壳 5-PowerSFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 58A (Ta), 475A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 600毫欧姆 @ 100A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8800 pF @ 20 V
- 供应商设备包装 PG-HSOF-5-1
- 色彩/颜色 不锈钢
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IST006N04NM6AUMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IST006N04NM6AUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IST006N04NM6AUMA1价格参考￥20.351825，你可以下载 IST006N04NM6AUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IST006N04NM6AUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
