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SCTH70N120G2V-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 469W (Tc) 供应商设备包装: H2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 341.64759 341.64759
10+ 318.76727 3187.67272
100+ 303.66944 30366.94470
1000+ 303.66944 303669.44700
  • 库存: 37
  • 单价: ¥310.57555
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥341.65
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 18伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 90A (Tc)
  • 最大功耗 469W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 50A, 18V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC@18 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3540 pF @ 800 V
  • 供应商设备包装 H2PAK-7
  • 色彩/颜色 -

SCTH70N120G2V-7 产品详情

SCTH70N120G2V-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SCTH70N120G2V-7 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SCTH70N120G2V-7价格参考¥310.575552,你可以下载 SCTH70N120G2V-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SCTH70N120G2V-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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