9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP11NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP11NM50N参考价格为1.77000美元。STMicroelectronics STP11NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB。您可以下载STP11NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP11NK50Z是MOSFET N-CH 500V 10A TO-220，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有125 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.75V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为14.5ns，Qg栅极电荷为49nC，正向跨导最小值为7.7S，沟道模式为增强。
STP11NK50ZFP是MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为41 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为18 ns，漏极-源极电阻Rds为520 mOhms，Qg栅极电荷为49 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP11NK80Z带有ST制造的电路图。STP11NK80 Z采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP11NK80ZFP带有ST制造的EDA/CAD模型。STP11NK80 ZFP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
