AUIRFR8403

特征
描述

先进工艺技术新型超低导通电阻175�C工作温度快速切换重复雪崩允许达到Tjmax无铅，符合RoHS的汽车认证*

VDSS RDS（开启）典型值。最大ID（Silicon Limited）

该HEXFET专为汽车应用而设计� 功率MOSFET利用最新的工艺技术实现每硅面积极低的导通电阻。此设计的其他特点是175�C结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种非常高效和可靠的设备，可用于汽车应用和各种其他应用。

应用
电动助力转向（EPS）蓄电池开关启动/停止微型混合动力重载DC-DC转换器
包装类型标准包装形式管胶带和卷轴胶带以及卷轴左侧胶带和卷轴右侧胶带

超过“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级；并且不暗示设备在这些或超出说明书中所示的任何其他条件下的功能操作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响设备可靠性。热阻和功耗额定值是在板安装和静止空气条件下测量的。环境温度（TA）为25�C、 除非另有规定。

连续漏极电流，VGS@10V（硅有限）连续漏极电压，VGS@10V（硅有限的）连续漏电流，VGS@110V（封装有限的）脉冲漏极电流最大功耗线性降额因数栅极到源极电压工作结和存储温度范围焊接温度，持续10秒（距外壳1.6mm）

EAS（热限制）EAS（测试）IAR EAR单脉冲雪崩能量雪崩电流
单脉冲雪崩能量测试值重复雪崩能量

六方场效应晶体管� 是国际整流器的注册商标*资格标准可在http://www.irf.com/

V（BR）DSS V（BR）DSS/TJ RDS（on）VGS（th）IDSS IGSS RG

漏极到源极击穿电压击穿电压温度系数静态漏极到漏极导通电阻栅极阈值电压漏极到漏电电流栅极到源极正向漏电栅极到源反向漏电内部栅极电阻

gfs Qg Qgs Qgd Qsync td（开）tr td（关）tf Ciss Coss Crss Coss eff。（ER）成本效应。（TR）

正向跨导总栅极电荷门到源极电荷门到漏极（“Miller”）电荷总栅极电荷同步。（Qg-Qgd）开启延迟时间上升时间关闭延迟时间下降时间输入电容输出电容反向转移电容有效输出电容（能量相关）有效输出电容

基于最大允许结温计算的连续电流。通过源极键合技术键合导线电流限制100A。注意，在某些引线安装布置中，由器件引线加热引起的电流限制可能发生。（参考AN-1140）重复评级；脉冲宽度受最大结温度限制。受TJmax限制，启动=50，IAS=76A，VGS=10V。不建议使用高于此值的零件。ISD 76A，di/dt 1255A/s，VDD V（BR）DSS，TJ 175�C.脉冲宽度400s；占空比2%。科斯效应。（TR）是一个固定电容，当VDS从80%VDSS上升时。科斯效应。（ER）是一种固定电容，当VDS从80%VDSS上升时。当安装在1“方形PCB或G-10材料上时）。有关建议的占地面积和焊接技术，请参阅应用注释R的测量T J约为90�C.脉冲漏极电流受到源极键合技术的限制。

连续源电流（体二极管）脉冲源电流（体内二极管）二极管正向电压
峰值二极管恢复反向恢复时间
反向恢复充电反向恢复电流

图5。典型电容与漏极至源极电压3 www.irf.com� 2013国际整流器
图6。2013年4月25日，典型栅电荷与栅源电压

特色

应用