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IPT60R150G7XTMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 106W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 38.09765 38.09765
10+ 34.18648 341.86488
100+ 28.00901 2800.90190
500+ 23.93923 11969.61650
2000+ 23.93923 47878.46600
  • 库存: 1111
  • 单价: ¥33.10005
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥38.10
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17A(Tc)
  • 最大功耗 106W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 260A
  • 供应商设备包装 PG-HSOF-8-2
  • 导通电阻 Rds(ON) 150毫欧姆@5.3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 902 pF @ 400 V

IPT60R150G7XTMA1 产品详情

英飞凌科技CoolMOS™ C7金(G7)功率MOSFET封装在新的SMD TO无引线(TOLL)封装中,采用开尔文源概念。G7 MOSFET结合了改进的600V和650V CoolMOS™ G7技术、4引脚开尔文源能力以及改进的TO-Leadless封装热财产。这使得SMD解决方案能够用于高达3kW的高电流硬开关拓扑,如功率因数校正(PFC)。用于600V CoolMOS™ G7,MOSFET可用于谐振电路,如高端LLC。

特色

  • 提供同类最佳FOM R DS(on)xE oss和R DS(on)xQ G
  • 以最小的占地面积实现同类最佳的R DS(on)
  • 内置4引脚开尔文源配置和低寄生源电感(~1nH)
  • 符合MSL1标准,完全无铅,槽形引线易于目视检查
  • 提高热性能R th
  • 由于改进了C7 Gold技术,效率更高;由于封装的低寄生源电感和4pin开尔文源概念,开关速度更快
  • 通过替换to封装(高度限制)或并联SMD封装(由于热或R DS(开启)要求),在较小的占地面积内实现低R DS(打开),从而提高了功率密度
  • 通过更快的组装时间转向SMD,降低生产成本

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳的
  • 工业SMPS
IPT60R150G7XTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPT60R150G7XTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPT60R150G7XTMA1价格参考¥33.100053,你可以下载 IPT60R150G7XTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPT60R150G7XTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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