9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RS1E301GNTB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1E301GNTB1价格参考1.77000美元。Rohm Semiconductor RS1E301GNTB1封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP。您可以下载RS1E301GNTB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1E240GNTB带有引脚细节，包括RS1E240GN系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002490oz，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于HSOP-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11.5 ns，上升时间为7.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为16.3ns，Qg栅极电荷为23nC，正向跨导Min为21.5S。
带有用户指南的RS1E280GNTB，包括2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供0.002490 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为19.9 ns，以及61.3 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有RS1E280GN系列，上升时间为12.3 ns，Rds漏极-源极电阻为2.6 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为3 W，封装为卷轴式，封装盒为HSOP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为28 A，正向跨导最小值为29 S，下降时间为18 ns，配置为单一。
带有电路图的RS1E280BNTB，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于1通道数量的通道，数据表注释中显示了用于HSMT-8的封装盒，该HSMT-8提供了卷盘等封装功能，系列设计用于RS1E280BN，以及Si技术，该器件还可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
RS1E280BNFU7TB，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RS1E280BNFU7TB采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
