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APTMC60TLM14CAG，带引脚细节，包括散装封装，设计用于SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP4，以及4 N通道（三电平逆变器）FET类型，该设备也可用于925W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），该器件提供8400pF@1000V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为219A，最大Id Vgs的Rds为12mOhm@150A，20V，Vgs最大Id为2.4V@30mA（Typ），栅极电荷Qg-Vgs为483nC@220V。
APTMC60TLM55CT3AG带有用户指南，包括2.2V@2mA（Typ）Vgs th Max Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于49 mOhm@40A，20V，提供250W等最大功率功能，包装设计用于批量工作，以及SP3包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供1900pF@1000V输入电容Cis-Vds，该设备具有98nC@220V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N通道（三电平逆变器），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），25°C的电流连续漏极Id为55A。
APTML1002U60R020T3AG带有电路图，包括20A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），输入电容Cis-Vds设计用于6000pF@25V，以及底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为SP3，设备为散装包装，设备的最大功率为520W，Rds On Max Id Vgs为720 mOhm@10A、10V，供应商设备包装为SP3、Vgs th Max Id为4V@2.5mA。
