9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC029N025SG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC029N025SG参考价格为0.75000美元。Infineon Technologies BSC029N025SG封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载BSC029N025SG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC028N06NSATMA1是MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的BSC028N6NSXT SP000917416，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为19ns，典型的接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为37nC。
BSC028N06NS3G带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间如数据表注释所示，用于11 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如19 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为BSC028N06，器件的上升时间为38 ns，器件的漏极-源极电阻为2.8 mOhms，Qg栅极电荷为37 nC，Pd功耗为83 W，零件别名为BSC018N06NSATMA1 BSC028N6NSXT SP000917416，包装为卷筒，包装盒为DSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为100 A，正向跨导最小值为100 S/50 S，下降时间为8 ns。
BSC029N025S，带有INFINEON制造的电路图。BSC029N025S在TDSON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
