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PSMN8R5-108ES带有引脚细节，包括卷筒包装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供263 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为4.4 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为108V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为87ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为111nC，沟道模式为增强。
PSMN8R5-60YS，115是MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于8 mOhm@15A、10V，提供106W等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669、，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2370pF@30V输入电容Cis Vds，该器件具有39nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为76A（Tc）。
PSMN8R5-60YS，带有NXP制造的电路图。PSMN8R5-60YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
PSMN8R7，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN8R7在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
