9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7336ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7336ADP-T1-GE3参考价格1.88000美元。Vishay Siliconix SI7336ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8。您可以下载SI7336ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7336ADP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7336ADP-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7336ADP-T1的零件别名，该SI7336ADPE-T1提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为5.4W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为5600pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为3mOhm@25A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@4.5V，Pd功耗为5.4W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为32纳秒，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为30 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为3毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为24ns，信道模式为增强。
SI7336ADP，带有SILICONIX制造的用户指南。SI7336ADP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI7336ADP-T1，带有SI制造的电路图。SI7336ADP-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
