9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IMBG120R060M1HXTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IMBG120R060M1HXTMA1参考价格15.59000美元。Infineon Technologies IMBG120R060M1HXTMA1封装/规格：SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263。您可以下载IMBG120R060M1HXTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IMBD4448-G3-18，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOT-23中工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2.5μA@70V，该器件提供1V@10mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为150mA，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为150°C（Max）。
IMBD4448-HE3-08，带有用户指南，包括1V@10mA正向电压Vf Max。如果设计为在75V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOT-23的供应商设备包，该SOT-23提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2.5μa@70V，电流平均整流Io为150mA。
IMBD4448-HE3-18带有电路图，包括150mA电流平均整流Io，它们设计为在2.5μa@70V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-236-3、SC-59、，SOT-23-3包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为SOT-23，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
IMBD4448-V-GS08是VISHAY制造的二极管小信号开关100V 0.15A汽车3引脚SOT-23 T/R。IMBD4448-V-GS08采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分，支持二极管小信号开关100V 0.15A汽车用3引脚SOT-23 T/R。
