RJ1G08CGNTLL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 78W (Ta) 供应商设备包装: LPTL 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 14.05122 | 14.05122 |
10+ | 12.60264 | 126.02646 |
100+ | 10.13136 | 1013.13690 |
500+ | 8.32368 | 4161.84300 |
1000+ | 6.89683 | 6896.83400 |
2000+ | 6.48601 | 12972.03400 |
- 库存: 984
- 单价: ¥14.05123
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.05
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@500A.
- 供应商设备包装 LPTL
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2410 pF@20 V
- 导通电阻 Rds(ON) 5.6毫欧姆 @ 80A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31.1 nC @ 10 V
- 最大功耗 78W (Ta)
- 色彩/颜色 -
RJ1G08CGNTLL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RJ1G08CGNTLL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJ1G08CGNTLL价格参考¥14.051226,你可以下载 RJ1G08CGNTLL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJ1G08CGNTLL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...