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2SJ168TE85LF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SC-59 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.69099 6.69099
  • 库存: 10
  • 单价: ¥6.69099
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.69
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大功耗 200mW(Ta)
  • 供应商设备包装 SC-59
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫安时2欧姆,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 85 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

2SJ168TE85LF 产品详情

  • 应用范围:高速开关/模拟开关
  • 极性:P-ch
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:-3.5 V
  • 装配底座:2.0Ω
  • 装配底座:73 pF

应用

高速开关/模拟开关
2SJ168TE85LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2SJ168TE85LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2SJ168TE85LF价格参考¥6.690991,你可以下载 2SJ168TE85LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2SJ168TE85LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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