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SSM3K37FS,LF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: SSM 工作温度: 150摄氏度(TA)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.81072 1.81072
10+ 1.45582 14.55823
100+ 0.77209 77.20930
500+ 0.50787 253.93600
1000+ 0.34534 345.34100
3000+ 0.31151 934.55100
6000+ 0.27088 1625.30400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.81073
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.81
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 最大功耗 100mW(Ta)
  • 包装/外壳 SC-75,SOT-416
  • 供应商设备包装 SSM
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12 pF@10 V
  • 工作温度 150摄氏度(TA)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@100毫安,4.5伏
  • 色彩/颜色 -

SSM3K37FS,LF 产品详情

当设计电路时,通常需要通过将低RDSON FET与逻辑电平FET配对以驱动栅极来创建简单的负载开关电路。东芝的集成负载开关允许电路板设计者将这些组件组合成一个小封装设备。

特色

○ 高速交换应用

○ 模拟开关应用

•1.5V驱动

•低导通电阻

RDS(开)=5.60Ω (最大值)(@VGS=1.5 V)

RDS(开)=4.05Ω (最大值)(VGS=1.8 V时)

RDS(开)=3.02Ω (最大值)(@VGS=2.5 V)

RDS(ON)=2.20Ω (最大值)(@VGS=4.5 V)

笔记:

即使工作条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内,在重载条件下连续使用(例如,施加高温/电流/温度以及温度的显著变化等)也可能导致该产品的可靠性显著降低。请在审查东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和单个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。


应用

高速开关/模拟开关


(图片:引线/示意图)

SSM3K37FS,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM3K37FS,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM3K37FS,LF价格参考¥1.810725,你可以下载 SSM3K37FS,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM3K37FS,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

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