特色
- 带低RDS的N通道开关（打开）
- 提高系统效率
- 与SC89相比，占地面积小44%，厚度薄38%
- 节省板空间
- 低阈值电平，1.5V RDS（开启）额定值
- 在低逻辑电平门驱动下操作
- 在低逻辑电平门驱动下操作
- 符合RoHS
应用
- 负载/电源切换
- 接口切换
- 逻辑电平移位
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 手机、DSC、MP3播放器、便携式游戏、PDA
（图片：引出线）
NTK3134NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-723 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.04297 | 1.04297 |
- 库存: 905
- 单价: ¥1.04298
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.04
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 包装/外壳 SOT-723
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
- 供应商设备包装 SOT-723
- 漏源电流 (Id) @ 温度 750毫安 (Ta)
- 最大功耗 310mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 890毫安, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 120 pF@16 V
- 色彩/颜色 -
- 长（英寸） seventeen
NTK3134NT1G 产品详情
功率MOSFET 20 V，890 mA，单N沟道，带ESD保护，SOT-723
NTK3134NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTK585BQ-C | Ciena NTK585BQ Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK591QB-C | Ciena NTK591QB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK590RH-C | Ciena NTK590RH Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTK590MH-C | Ciena NTK590MH Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTK585BN-C | Ciena NTK585BN Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK585BC-C | Ciena NTK585BC Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK591SB-C | Ciena NTK591SB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK585AN-C | Ciena NTK585AN Compatible TAA co | ¥0.00 | |
| NTK591RB-C | Ciena NTK591RB Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTK591QH-C | Ciena NTK591QH Compatible TAA Co | ¥0.00 |
NTK3134NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTK3134NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTK3134NT1G价格参考￥1.042978，你可以下载 NTK3134NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTK3134NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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