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SSM6J422TU,LF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: UF6 工作温度: 150摄氏度
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.71367 1.71367
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 最大功耗 1W(Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 150摄氏度
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +6伏、-8伏
  • 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
  • 导通电阻 Rds(ON) 42.7毫欧姆 @ 3A, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.8 nC@4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 840 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 UF6
  • 色彩/颜色 -

SSM6J422TU,LF 产品详情

  • 应用范围:DC-DC转换器/高速开关
  • 极性:P-ch
  • 世代:U-MOSⅡ
  • 内部连接:单个
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:-2.6 V
  • 装配底座:117 mΩ
  • 装配底座:225 mΩ
  • 装配底座:280 pF
  • 装配底座:5.3 nC

应用

DC-DC转换器/高速开关
SSM6J422TU,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM6J422TU,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6J422TU,LF价格参考¥1.713670,你可以下载 SSM6J422TU,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6J422TU,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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