SI1416EDH-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Tc） 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.87783 | 0.87783 |
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、10伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 供应商设备包装 SC-70-6
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 58毫欧姆 @ 3.1A, 10V
- 最大功耗 2.8W（Tc）
- 色彩/颜色 灰色
SI1416EDH-T1-GE3 产品详情
N沟道MOSFET，30V至50V，Vishay半导体
SI1416EDH-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SI1133-AA00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 625nm, 525nm, 460nm 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥37.17717 |
 | SI1141-A11-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥50.91759 |
 | SI1143-A11-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 周围的 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥69.24212 |
 | SI1153-AB9X-GM | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-LLGA | ¥46.03138 |
 | SI1133-AA00-GM | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 625nm, 525nm, 460nm 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥17.67689 |
 | SI1146-A10-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 工作波长: 850nm 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥44.83355 |
 | SI1151-AB00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥13.96706 |
 | SI1152-AB00-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥15.81672 |
 | SI1132-A10-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，紫外线（UV） 输出类别: IOC 电源电压: 1.71V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥29.33375 |
 | SI1151-AB09-GMR | 芯科 (Silicon) | 种类: 环境，手势 输出类别: IOC 工作波长: 940纳米 电源电压: 1.62V~3.6V 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 包装/外壳: 10-WFQFN | ¥17.65457 |
SI1416EDH-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI1416EDH-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI1416EDH-T1-GE3价格参考￥0.877839，你可以下载 SI1416EDH-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI1416EDH-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
