9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7686DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7686DP-T1-GE3价格参考1.65000美元。Vishay Siliconix SI7686DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8。您可以下载SI7686DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7686DP-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI7686DP-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有5W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为20 ns 16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns 23ns，典型接通延迟时间为20 ns 13ns，沟道模式为增强型。
SI7686DP P/b，带有VISHAY制造的用户指南。SI7686DP P/b采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SI7686DP-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI7686DP-T1在SON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
