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FDD3672

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 135W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.81993 12.81993
10+ 11.52345 115.23454
100+ 9.26366 926.36690
500+ 7.61127 3805.63700
1000+ 6.91928 6919.28700
2500+ 6.91928 17298.21750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.95079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.82
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 135W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1710 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta), 44A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@44A,10V
  • 色彩/颜色 -

FDD3672 产品详情

UltraFET®MOSFET,Fairchild半导体

UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS(开启)、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。

特色

  • rDS(ON)=24mΩ(典型值),VGS=10V,ID=44A
  • Qg(tot)=24nC(典型值),VGS=10V
  • 低米勒电荷
  • 低Qrr体二极管
  • 在高频下优化效率
  • UIS能力(单脉冲和重复脉冲)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD3672所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD3672 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD3672价格参考¥11.950785,你可以下载 FDD3672中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD3672规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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