UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS(开启)、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。
特色
- rDS(ON)=24mΩ(典型值),VGS=10V,ID=44A
- Qg(tot)=24nC(典型值),VGS=10V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- 在高频下优化效率
- UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。