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SIUD403ED-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK0806 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.75230 2.75230
10+ 2.28151 22.81514
100+ 1.20811 120.81160
500+ 0.79469 397.34550
1000+ 0.54039 540.39300
3000+ 0.48744 1462.34100
6000+ 0.42385 2543.13000
  • 库存: 279
  • 单价: ¥2.75230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.75
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
  • 供应商设备包装 PowerPAK0806
  • 包装/外壳 PowerPAK0806
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25欧姆@300毫安,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 31 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

SIUD403ED-T1-GE3 产品详情

SIUD403ED-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIUD403ED-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIUD403ED-T1-GE3价格参考¥2.752302,你可以下载 SIUD403ED-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIUD403ED-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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