9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2304BDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2304BDS-T1-GE3参考价格为0.50000美元。Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3。您可以下载SI2304BDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI2304BDS-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI2304BDS-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI2304BDS-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2304BDS E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为225pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@5V，Pd功耗为750 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12.5 ns，上升时间为12.5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为70 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7.5ns，信道模式为增强。
SI2304和QY制造的用户指南。SI2304在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI2304BDS，带有VISHAY制造的电路图。SI2304BDS采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
